SI4202DY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4202DY-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 17nC @ 10V
- Potencia - Máx 3.7W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 710pF @ 15V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 12.1A