SI4501BDY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4501BDY-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 25nC @ 10V
- FET Característica Logic Level Gate
- Configuración N and P-Channel, Common Drain
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V, 8V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 12A, 8A
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 805pF @ 15V
- Potencia - Máx 4.5W, 3.1W