SI4505DY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4505DY-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A 8SOIC
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Configuración N and P-Channel
- FET Característica Logic Level Gate
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
- Potencia - Máx 1.2W
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.8V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20nC @ 5V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V, 8V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A, 3.8A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.8A, 10V