SI4511DY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4511DY-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- FET Característica Logic Level Gate
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
- Potencia - Máx 1.1W
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 18nC @ 4.5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.8V @ 250µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 7.2A, 4.6A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V