SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

Número de pieza: SI4590DY-T1-GE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Tecnología -
  • Configuración N and P-Channel
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11.5nC @ 10V
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
  • Potencia - Máx 2.4W, 3.4W
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.4A, 2.8A
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 57mOhm @ 2A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 360pF @ 50V