SI4972DY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4972DY-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 28nC @ 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10.8A, 7.2A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 6A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1080pF @ 15V
- Potencia - Máx 3.1W, 2.5W