SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

Número de pieza: SI5513DC-T1-GE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
  • Configuración N and P-Channel
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
  • FET Característica Logic Level Gate
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6nC @ 4.5V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
  • Potencia - Máx 1.1W
  • Paquete / Carcasa 8-SMD, Flat Leads
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 1206-8 ChipFET™
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.1A, 2.1A