SI5515CDC-T1-E3
Número de pieza:
SI5515CDC-T1-E3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4A (Tc)
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- FET Característica Logic Level Gate
- Paquete / Carcasa 8-SMD, Flat Leads
- Potencia - Máx 3.1W
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 800mV @ 250µA
- Proveedor Dispositivo Paquete 1206-8 ChipFET™
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6A, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11.3nC @ 5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 632pF @ 10V