SI5517DU-T1-GE3
Número de pieza:
SI5517DU-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- FET Característica Logic Level Gate
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 520pF @ 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 16nC @ 8V
- Potencia - Máx 8.3W
- Paquete / Carcasa PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® ChipFet Dual