SI5908DC-T1-GE3
Número de pieza:
SI5908DC-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
- Potencia - Máx 1.1W
- Paquete / Carcasa 8-SMD, Flat Leads
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.4A
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete 1206-8 ChipFET™
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V