SI5936DU-T1-GE3
Número de pieza:
SI5936DU-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 320pF @ 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 250µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5A, 10V
- Paquete / Carcasa PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® ChipFet Dual
- Potencia - Máx 10.4W