SI5980DU-T1-GE3
Número de pieza:
SI5980DU-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- FET Característica -
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.5A
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Paquete / Carcasa PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® ChipFet Dual
- Potencia - Máx 7.8W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 567mOhm @ 400mA, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.3nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 78pF @ 50V