SI5999EDU-T1-GE3
Número de pieza:
SI5999EDU-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- FET Característica Logic Level Gate
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20nC @ 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A
- Paquete / Carcasa PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® ChipFet Dual
- Potencia - Máx 10.4W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 496pF @ 10V