SI6562CDQ-T1-GE3
Número de pieza:
SI6562CDQ-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- FET Característica Logic Level Gate
- Paquete / Carcasa 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-TSSOP
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 23nC @ 10V
- Potencia - Máx 1.6W, 1.7W
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6.7A, 6.1A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 850pF @ 10V