SI7252DP-T1-GE3
Número de pieza:
SI7252DP-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 27nC @ 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Paquete / Carcasa PowerPAK® SO-8 Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® SO-8 Dual
- Potencia - Máx 46W
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 36.7A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 18mOhm @ 15A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1170pF @ 50V