SI7923DN-T1-GE3
Número de pieza:
SI7923DN-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- FET Característica Logic Level Gate
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.3A
- Potencia - Máx 1.3W
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 21nC @ 10V
- Paquete / Carcasa PowerPAK® 1212-8 Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 1212-8 Dual
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 47mOhm @ 6.4A, 10V