SIA537EDJ-T1-GE3
Número de pieza:
SIA537EDJ-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- FET Característica Logic Level Gate
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.5A
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 455pF @ 6V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 16nC @ 8V
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Paquete / Carcasa PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Potencia - Máx 7.8W
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 12V, 20V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V