SIA918EDJ-T1-GE3
Número de pieza:
SIA918EDJ-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 900mV @ 250µA
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Paquete / Carcasa PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
- Potencia - Máx 7.8W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3A, 4.5V