SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3

Número de pieza: SIA938DJT-T1-GE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11.5nC @ 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Paquete / Carcasa PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
  • Potencia - Máx 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 21.5mOhm @ 5A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 425pF @ 10V