SICB240N120H-TP
Número de pieza:
SICB240N120H-TP
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
MCC (Micro Commercial Components)
Descripción:
SIC N-CHANNEL MOSFET,D2PAK
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 13A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 100W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete D2PAK
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 5mA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Vgs (Máx.) +25V, -10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 320mOhm @ 5A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 47 nC @ 20 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 559 pF @ 800 V