SICBG160N120A-TP
Número de pieza:
SICBG160N120A-TP
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
MCC (Micro Commercial Components)
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 18A TO263-7
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 18A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263-7
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Paquete / Carcasa TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Disipación de Potencia (Máx.) 116W (Tc)
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 16V, 20V
- Vgs (Máx.) +22V, -5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 2.5mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 47 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 780 pF @ 1000 V