SICW021N120P-BP
Número de pieza:
SICW021N120P-BP
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
MCC (Micro Commercial Components)
Descripción:
SIC MOSFET,TO-247AB
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247AB
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Vgs (Máx.) +22V, -10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 29.4mOhm @ 50A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 17mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 200 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3741 pF @ 800 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 469W