SICW050N065H-BP
Número de pieza:
SICW050N065H-BP
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
MCC (Micro Commercial Components)
Descripción:
SIC MOSFET,TO-247AB
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 250W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 60A (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247AB
- Vgs (Máx.) +25V, -10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 65mOhm @ 20A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 121 nC @ 20 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 20mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1850 pF @ 400 V