SICW080N120Y-BP
Número de pieza:
SICW080N120Y-BP
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
MCC (Micro Commercial Components)
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 38A TO247-3
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Disipación de Potencia (Máx.) 220W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-3
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 38A
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 5mA
- Vgs (Máx.) +22V, -8V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 41 nC @ 18 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 85mOhm @ 20A, 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 890 pF @ 1000 V