SICW100N065H-BP
Número de pieza:
SICW100N065H-BP
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
MCC (Micro Commercial Components)
Descripción:
SIC MOSFET,TO-247AB
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 32A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 166W (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247AB
- Vgs (Máx.) +25V, -10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 130mOhm @ 12A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 10mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 66 nC @ 20 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 910 pF @ 400 V