SIHFU024-GE3
Número de pieza:
SIHFU024-GE3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 14A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 640 pF @ 25 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-251AA