SIHK100N65E-T1-GE3

SIHK100N65E-T1-GE3

Número de pieza: SIHK100N65E-T1-GE3
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 28A (Tc)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 62 nC @ 10 V
  • Vgs (Máx.) ±30V
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 250µA
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 100mOhm @ 12A, 10V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 184W (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK®10 x 12
  • Paquete / Carcasa 8-PowerBSFN
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2137 pF @ 100 V