SIJH400E-T1-GE3

SIJH400E-T1-GE3

Número de pieza: SIJH400E-T1-GE3
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 330 nC @ 10 V
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.4V @ 250µA
  • Vgs (Máx.) +20V, -16V
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 8 x 8
  • Paquete / Carcasa PowerPAK® 8 x 8
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.52mOhm @ 20A, 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 57A (Ta), 608A (Tc)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 15050 pF @ 20 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3.3W (Ta), 385W (Tc)