SIJK5100E-T1-GE3

SIJK5100E-T1-GE3

Número de pieza: SIJK5100E-T1-GE3
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 200 nC @ 10 V
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 7.5V, 10V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 80A, 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK®10 x 12
  • Paquete / Carcasa 8-PowerBSFN
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 74A (Ta), 417A (Tc)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 11480 pF @ 50 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 17W (Ta), 536W (Tc)