SIR5208DP-T1-RE3

SIR5208DP-T1-RE3

Número de pieza: SIR5208DP-T1-RE3
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20 V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 68 nC @ 10 V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4100 pF @ 10 V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.3V @ 250µA
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® SO-8
  • Paquete / Carcasa PowerPAK® SO-8
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 2.5V, 8V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 48A (Ta), 165A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 10A, 8V
  • Vgs (Máx.) +8V, -7V