SIR572DP-T1-BE3
Número de pieza:
SIR572DP-T1-BE3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 54 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® SO-8
- Paquete / Carcasa PowerPAK® SO-8
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 7.5V, 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10.8mOhm @ 10A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 14.8A (Ta), 59.7A (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2733 pF @ 75 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 5.7W (Ta), 92.5W (Tc)