SIS5712DN-T1-GE3

SIS5712DN-T1-GE3

Número de pieza: SIS5712DN-T1-GE3
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 1212-8
  • Paquete / Carcasa PowerPAK® 1212-8
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 7.5V, 10V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 5.6A (Ta), 18A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 500 pF @ 75 V