SIS590DN-T1-GE3
Número de pieza:
SIS590DN-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 100V 2.7A PPAK1212
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración N and P-Channel
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Paquete / Carcasa PowerPAK® 1212-8 Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 1212-8 Dual
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 265pF 2 50V, 325pF @ 50V
- Potencia - Máx 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc)