SIS903DN-T1-GE3
Número de pieza:
SIS903DN-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A (Tc)
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Paquete / Carcasa PowerPAK® 1212-8 Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 1212-8 Dual
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 42nC @ 10V
- Potencia - Máx 2.6W (Ta), 23W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2565pF @ 10V