SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Número de pieza: SIS932EDN-T1-GE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A (Tc)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.4V @ 250µA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 14nC @ 4.5V
  • Paquete / Carcasa PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1000pF @ 15V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 4.5V
  • Potencia - Máx 2.6W (Ta), 23W (Tc)