SIS990DN-T1-GE3
Número de pieza:
SIS990DN-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8nC @ 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Paquete / Carcasa PowerPAK® 1212-8 Dual
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 1212-8 Dual
- Potencia - Máx 25W
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 12.1A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 85mOhm @ 8A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 250pF @ 50V