SISF02DN-T1-GE3

SISF02DN-T1-GE3

Número de pieza: SISF02DN-T1-GE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
  • Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 56nC @ 10V
  • Potencia - Máx 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30.5A (Ta), 60A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 7A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2650pF @ 10V
  • Paquete / Carcasa PowerPAK® 1212-8SCD
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 1212-8SCD