SISF06DN-T1-GE3
Número de pieza:
SISF06DN-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 45nC @ 10V
- Potencia - Máx 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
- Paquete / Carcasa PowerPAK® 1212-8SCD
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 1212-8SCD
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 28A (Ta), 101A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 7A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2050pF @ 15V