SISS5810DN-T1-GE3

SISS5810DN-T1-GE3

Número de pieza: SISS5810DN-T1-GE3
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10mOhm @ 10A, 10V
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 7.5V, 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAK® 1212-8S
  • Paquete / Carcasa PowerPAK® 1212-8S
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 13.9A (Ta), 51A (Tc)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 900 pF @ 40 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3.9W (Ta), 52W (Tc)