SIZ256DT-T1-GE3

SIZ256DT-T1-GE3

Número de pieza: SIZ256DT-T1-GE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 70V 11.5A 8PWRPAIR
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 27nC @ 10V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 70V
  • Potencia - Máx 4.3W (Ta), 33W (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-PowerPair® (3.3x3.3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11.5A (Ta), 31.8A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 17.6mOhm @ 7A, 4.5V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1060pF @ 35V