SIZ260DT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZ260DT-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 27nC @ 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.4V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80V
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Potencia - Máx 4.3W (Ta), 33W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PowerPair® (3.3x3.3)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 820pF @ 40V