SIZ328DT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZ328DT-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-Power33 (3x3)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
- Potencia - Máx 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)