SIZ340BDT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZ340BDT-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.4V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-Power33 (3x3)
- Configuración 2 N-Channel (Dual), Schottky
- Potencia - Máx 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V