SIZ342ADT-T1-GE3

SIZ342ADT-T1-GE3

Número de pieza: SIZ342ADT-T1-GE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.4V @ 250µA
  • Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-Power33 (3x3)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 12.2nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 580pF @ 15V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 10A, 10V
  • Potencia - Máx 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)