SIZ914DT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZ914DT-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.4V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 26nC @ 10V
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PowerPair®
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 16A, 40A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 19A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1208pF @ 15V
- Potencia - Máx 22.7W, 100W