SIZ926DT-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3

Número de pieza: SIZ926DT-T1-GE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-PowerPair® (6x5)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 40A (Tc), 60A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
  • Potencia - Máx 20.2W, 40W