SIZ998BDT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZ998BDT-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Configuración 2 N-Channel (Dual), Schottky
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PowerPair® (6x5)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
- Potencia - Máx 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)