SIZF360DT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZF360DT-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 23A 6POWERPAIR
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 6-PowerPair™
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-PowerPair™
- Configuración 2 N-Channel (Dual), Schottky
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
- Potencia - Máx 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)