SIZF4800LDT-T1-GE3
Número de pieza:
SIZF4800LDT-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 23nC @ 10V
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 19mOhm @ 10A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10A (Ta), 36A (Tc)
- Potencia - Máx 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
- Paquete / Carcasa 12-PowerPair™
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAIR® 3x3FS
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 950pF @ 40V