SIZF5302DT-T1-RE3

SIZF5302DT-T1-RE3

Número de pieza: SIZF5302DT-T1-RE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 250µA
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 10A, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22.2nC @ 10V
  • Paquete / Carcasa 12-PowerPair™
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerPAIR® 3x3FS
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 28.1A (Ta), 100A (Tc)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1030pF @ 15V
  • Potencia - Máx 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)